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J-GLOBAL ID:201802243776687468   整理番号:18A0360142

2重電源層プレーナ型EBG構造の小型化-単位セルにおけるインダクタンス増加のための細線導入-

Miniaturization of Planar EBG Structure with Dual Power Planes-Introduction of Thin Line into the Unit Cell for Increase in Inductance-
著者 (4件):
資料名:
巻: 117  号: 384(EMCJ2017 88-104)  ページ: 43-48  発行年: 2018年01月11日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本稿では,2重電源層(Dual Power Planes:DPP)プレーナ型電磁バンドギャップ(Electromagnetic Bandgap:EBG)構造,すなわち,DPP-EBG構造の更なる小型化を提案する。一般にEBG構造の阻止域の周波数は単位セルサイズに依存するため,阻止域の周波数とは独立に小型化を行うことは困難である。しかし,本稿で提案するDPP-EBG構造では,2重電源層に細線を導入することよりEBG単位セル内に形成される並列共振回路のインダクタンスを容易に大きくできるため,阻止域の周波数を所望の周波数に維持しつつ単位セルサイズの小型化が実現する。本稿では,DPP-EBG構造の分散関係式と電磁界シミュレーションに基づく検討を行い,2.4GHz帯に阻止域を設定する場合でEBG単位セルが1.5mm角のDPP-EBG構造を実現した。(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  雑音一般 
引用文献 (7件):
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