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J-GLOBAL ID：201802247963907586   整理番号：18A1699196

フラッシュランプアニールおよびポストアニールで活性/不活性化したSi中Asの軟X線光電子分光による評価

著者 (12件)： 小川達博 (東京工大) ,  名取鼓太郎 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  仲武昌史 (あいちシンクロトロン光セ) ,  渡辺義夫 (あいちシンクロトロン光セ) ,  永山勉 (日新イオン機器) ,  樋口隆弘 (日新イオン機器) ,  加藤慎一 (SCREENセミコンダクターソリューションズ) ,  谷村英昭 (SCREENセミコンダクターソリューションズ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20a-233-2  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ素 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  活性化 ,  不活性化 ,  *RTA【熱処理】 ,  *焼なまし ,  *X線光電子分光法 ,  シート抵抗
準シソーラス用語： *X線光電子分光 ,  *シリコン ,  *フラッシュランプアニール ,  *ポストアニール処理

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： フラッシュランプアニール ,  ポストアニール ,  活性 ,  不活性化 ,  Si ,  軟X線 ,  光電子分光 ,  評価