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J-GLOBAL ID：201802250988115194   整理番号：18A1699637

ナノ多結晶ダイヤモンド高温・高圧合成時InP封入の影響

著者 (10件)： 福田玲 (愛媛大 工) ,  村上洋平 (愛媛大 工) ,  山本直也 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 GRC) ,  松下正史 (愛媛大 工) ,  松下正史 (愛媛大 GRC) ,  新名亨 (愛媛大 GRC) ,  大藤弘明 (愛媛大 GRC) ,  入舩徹男 (愛媛大 GRC)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-222-8  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  化学合成 ,  リン化インジウム ,  ナノ結晶 ,  N型半導体 ,  リン ,  合成鉱物 ,  *ドーピング ,  高圧装置 ,  *高温高圧合成 ,  *合成ダイヤモンド ,  多結晶ダイヤモンド ,  鉱石 ,  宝石

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶ダイヤモンド ,  高圧合成 ,  InP ,  封入