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J-GLOBAL ID：201802252498282582   整理番号：18A0699661

Mo₂C電極を用いたSiCショットキーバリアダイオードのTEM解析

著者 (7件)： 齋藤大樹 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)  (半導体・集積回路技術シンポジウム論文集(CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.P8  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0108C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  モリブデン化合物 ,  炭化物 ,  電極 ,  耐熱性 ,  熱安定性 ,  高速Fourier変換 ,  炭化モリブデン
準シソーラス用語： FFT【変換】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  ショットキーバリアダイオード ,  TEM ,  解析