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J-GLOBAL ID：201802257029904934   整理番号：18A1794002

酸化セリウムを用いたMIMキャパシタの過渡応答特性

著者 (7件)： 久恒和也 (東京工大) ,  佐々康平 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)  (半導体・集積回路技術シンポジウム論文集(CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.P10  発行年： 2018年 
JST資料番号： F0108C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  *MIM構造 ,  *酸化セリウム ,  過渡応答 ,  化学蒸着 ,  単原子層
準シソーラス用語： MIMキャパシタ ,  原子層堆積

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化セリウム ,  MIMキャパシタ ,  過渡応答特性