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J-GLOBAL ID：201802259281296793   整理番号：18A2137153

高分子ヘテロ細線による液晶高分子薄膜表面のクレーター形成速度の解析

著者 (5件)： 大石和明 (名大 院) ,  北村一晟 (名大 院) ,  原光生 (名大 院) ,  永野修作 (名大 VBL) ,  関隆広 (名大 院)
資料名： 中部化学関係学協会支部連合秋季大会講演予稿集
巻： 49th  ページ： 135  発行年： 2018年11月03日 
JST資料番号： L0502A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *高分子液晶 ,  ブロック共重合体 ,  アゾ化合物 ,  高分子薄膜 ,  細線 ,  紫外線照射 ,  相転移 ,  クレータ ,  表面構造 ,  ポリアクリル酸エステル ,  ポリメタクリル酸ブチル ,  フェノールエーテル ,  アゾベンゼン類 ,  構造
準シソーラス用語： アゾベンゼン誘導体

分類 (2件)： 液晶一般  (BK03010L) ,  物理的性質一般  (YH02021U)

物質索引 (1件)： アクリル酸10-[(4′-ペンチルアゾベンゼン-4-イル)オキシ]デシル

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子 ,  テロ ,  細線 ,  液晶 ,  高分子薄膜 ,  クレーター ,  解析