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J-GLOBAL ID:201802267592045966   整理番号:18A2010561

斜入射X線散乱測定による薄膜の配向構造評価

著者 (2件):
資料名:
巻: 22  号:ページ: 246-255  発行年: 2018年10月25日 
JST資料番号: L3796A  ISSN: 1880-6449  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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・日本液晶学会誌の講座記事として,高分子液晶薄膜の配向構造を,斜入射X線散乱測定によって評価する方法を記述。
・斜入射X線散乱について,理論,薄膜試料についての実験方法,測定装置の配置,測定の際の留意点を記述。
・研究例として,側鎖型高分子液晶薄膜での分子配向,有機無機ハイブリッド薄膜での配向構造,光応答性液晶性ブロック共重合体の階層構造および光配向機構,などの研究を紹介。
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分類 (2件):
分類
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液晶一般  ,  有機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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