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J-GLOBAL ID：201802268141860445   整理番号：18A1700582

n型SiCのエピタキシャル層の正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響

著者 (6件)： 佐々木杏民 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-135-7  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *キャリア寿命 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *接合ダイオード ,  エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  半導体素子 ,  IGBT ,  計算機シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： PNダイオード ,  SiCパワーデバイス ,  デバイスシミュレーション ,  正孔寿命

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  エピタキシャル層 ,  正孔 ,  PN ,  ダイオード特性