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J-GLOBAL ID：201802282462924155   整理番号：18A2202392

酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性の解明

Understanding of the basic properties of HfO₂-based ferroelectrics using epitaxial films

著者 (4件)： 舟窪浩 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  木口賢紀 (東北大 金属材料研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 87  号： 12  ページ： 921-925  発行年： 2018年12月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： HfO₂基の強誘電体は,従来の強誘電体と異なり,シリコンプロセスとの高い親和性を有し,膜厚を20nm以下に薄膜化しても強誘電性が劣化しないことから,大きな関心を集めている。本研究では,従来の多結晶で不純物相の混入していた膜に代わって,高品質の方位制御されたエピタキシャル膜を作製した。その結果,強誘電性の起源が結晶の対称中心のない直方晶相であることを実験的に明らかにした。この膜を用いて,最大の残留分極値である自発分極値と,使用温度限界であるキュリー温度を見積もった。その結果,現在強誘電体メモリに使用されているPb(Zr_0.4Ti_0.6)O₃やSr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉と遜色がない特性を有することを初めて明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  多結晶 ,  結晶方位 ,  斜方晶系 ,  残留分極 ,  *自発分極 ,  FeRAM ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  タンタル酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  *Curie温度 ,  強誘電性 ,  親和性 ,  エピタクシー ,  パルスレーザ蒸着 ,  結晶構造 ,  ヒステリシス ,  分極ヒステリシス
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  強誘電体メモリ ,  誘電ヒステリシス

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (25件)：

• N. Izyumskaya, Y. Alivov, S. Cho, H. Morko, H. Lee, and Y. Kang: Crit. Rev. Solid State 32, 111 (2007).
• R. Harne and K. Wang: Smart. Mat. Str. 22, 023001 (2013).
• J. Scott and C. Araujo: Science 246, 1400 (1989).
• H. Ishiwara: J. Nanosci. Nanotechno. 12, 7619 (2012).
• T. Watanabe, S. Hoffmann-Eifert, F. Peter, S. Mi, C. Jia, C. Hwang, and R. Waser: J. Electrochem. Soc. 154, G262 (2007).

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化ハフニウム ,  強誘電体 ,  基礎