文献

J-GLOBAL ID：201802288923645113   整理番号：18A1699504

STEM-EELS法による直方晶相ハフニア薄膜の結晶構造評価

著者 (6件)： 木口賢紀 (東北大) ,  白石貴久 (東北大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  今野豊彦 (東北大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-141-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶構造 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  酸化ハフニウム ,  *電子エネルギー損失スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  酸化イットリウム ,  ドーピング ,  微細構造 ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  透過型走査電子顕微鏡法 ,  強誘電体薄膜
準シソーラス用語： *二酸化ハフニウム ,  ELNES ,  強誘電薄膜

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： STEM ,  EELS法 ,  直方晶 ,  ハフニア ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  評価