特許

J-GLOBAL ID：201803020550111850

窒化ガリウムの製造方法

発明者： 寒川 誠二 ,  岡田 健 ,  山元 公寿 ,  今岡 享稔
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-105585
公開番号（公開出願番号）：特開2015-220443
特許番号：特許第6321455号
出願日： 2014年05月21日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガリウム三ハロゲン化物を含む塗布液を基材上に塗布して、前記基材上に保持されたドーパントを含んでいてもよいガリウム三ハロゲン化物の薄膜を形成し、 前記基材上に形成された前記ガリウム三ハロゲン化物の薄膜に対して、窒素中性粒子ビームを照射する窒化ガリウムの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C01B 21/06 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C01B 21/06 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-027507   出願人：サンキョンカンユニバーシティファンデーションフォーコーポレートコラボレーション
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-139815   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特に結晶性の層を特に結晶性の基板上にガス相から堆積させる装置または方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-581713   出願人：アイクストロンアーゲー
• 窒化ガリウム(III)のナノ粒子の製造方法、及び酸化ガリウム(III)のナノ粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-086347   出願人：東京応化工業株式会社, 国立大学法人東京工業大学