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J-GLOBAL ID：201902210694233930   整理番号：19A0296947

HfO₂基薄膜の相安定性と機能発現

著者 (3件)： 清水荘雄 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 57th  ページ： 212  発行年： 2019年01月16日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： HfO_2系強誘電体材料は半導体技術との優れた適合性のため大きな関心事である。エピタキシャル強誘...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  相安定性 ,  強誘電体 ,  *強誘電性 ,  結晶構造 ,  *誘電体薄膜 ,  依存性 ,  膜厚 ,  ジルコニウム ,  イットリウム ,  ドーピング ,  抗電場 ,  スイッチング ,  強誘電分域 ,  エピタクシー ,  電圧 ,  結晶方位 ,  膜厚依存性
準シソーラス用語： ドメインスイッチング

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： HfO2 ,  薄膜 ,  相安定性