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J-GLOBAL ID：201902215007255050   整理番号：19A2618543

Y₂O₃/SiO₂積層構造の絶縁膜を用いたMOS capacitorの特性評価

著者 (6件)： SONG J. (東京工大) ,  太田惇丈 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-E305-7  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】Y2O3は高い比誘電率(~15)、広いバンドギャップ(5.5eV)、高いバンドオフセット(2.3eV)、格子歪みが小さいことなどCMOS微細化プロセスの絶縁膜として可能性を有する[1-2]。しかし、Si基板との反応から形成される...【本文一部表示】

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  *MOS構造 ,  積層構造 ,  絶縁膜 ,  キャラクタリゼーション ,  酸化イットリウム ,  二酸化ケイ素 ,  *半導体プロセス ,  CMOS ,  化学蒸着 ,  単原子層 ,  誘電率 ,  微細加工 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  *CMOSプロセス ,  *MOSキャパシタ

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Y2O3 ,  SiO2 ,  積層構造 ,  絶縁膜 ,  MOS ,  特性評価