文献

J-GLOBAL ID：201902220342610301   整理番号：19A2618544

原子層堆積法を用いたイットリウムシリケート薄膜の形成

著者 (6件)： 太田惇丈 (東京工大) ,  SONG J. (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-E305-8  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】希土類シリケート薄膜は高い誘電率、広いバンドギャップ、アモルファス構造などゲート絶縁膜として高い性能を有している。希土類シリケートのゲート絶縁膜は希土類酸化膜をSi基板上に形成して、熱処理による界面反応で形成される場合が多い。し...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イットリウム化合物 ,  ケイ酸塩 ,  *化学蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  *絶縁膜 ,  薄膜成長 ,  ゲート絶縁膜 ,  熱処理 ,  多層膜 ,  プラズマ化学反応 ,  酸化 ,  FTIR分光法 ,  赤外吸収スペクトル ,  FTIRスペクトル ,  プラズマ酸化 ,  薄膜形成
準シソーラス用語： *原子層堆積

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層堆積法 ,  イットリウム ,  シリケート ,  薄膜