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J-GLOBAL ID：201902222188882676   整理番号：19A2620217

TEGを用いたGaN/AlGaNヘテロ成長の2DHG側界面電荷への影響

著者 (11件)： 松橋泰平 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  沖田寛昌 (東京工大) ,  SANYAL Indraneel (國立中央大) ,  CHEN Yu-Chih (國立中央大) ,  JU Ying-Hao (國立中央大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  CHYI Jen-Inn (國立中央大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-13  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [序論]分極接合基板はGaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ界面に生じる二次元電子ガス(2DEG)と二次元正孔ガス(2DHG)を用いることでGaN相補型回路の実現を可能とする技術である。しかしながら、現状では2DHGをチャネルとするデバイス...【本文一部表示】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  薄膜成長 ,  表面電荷 ,  半導体薄膜 ,  結晶成長 ,  容量電圧特性 ,  電荷分布 ,  界面電荷 ,  電荷密度 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  ダブルヘテロ接合

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

物質索引 (1件)： トリエチルガリウム

タイトルに関連する用語 (6件)： TEG ,  GaN ,  AlGaN ,  テロ ,  成長 ,  界面電荷