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J-GLOBAL ID：201902228747037720   整理番号：19A2893964

5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証

3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

著者 (24件)： 更屋拓哉 (東大) ,  伊藤一夫 (東大) ,  高倉俊彦 (東大) ,  福井宗利 (東大) ,  鈴木慎一 (東大) ,  竹内潔 (東大) ,  附田正則 (北九州市環境エレクトロニクス研) ,  沼沢陽一郎 (明治大) ,  佐藤克己 (三菱電機) ,  末代知子 (東芝デバイス&ストレージ) ,  齋藤渉 (九大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  古川和由 (東京工大) ,  渡辺正裕 (東京工大) ,  執行直之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  西澤伸一 (九大) ,  大村一郎 (九州工大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  平本俊郎 (東大)
資料名： 電気学会研究会資料
号： EDD-19-075-086/SPC-19-161-172 電子デバイス研究会/半導体電力変換研究会  ページ： 61-65  発行年： 2019年11月28日 
JST資料番号： Z0924B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *IGBT ,  *縮小 ,  動作 ,  証明 ,  電力トランジスタ ,  静特性 ,  特性 ,  設計 ,  試作 ,  スイッチング特性 ,  *スケールダウン ,  行為
準シソーラス用語： *スケーリングダウン ,  デバイス設計 ,  実証 ,  注入促進型絶縁ゲートトランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• T. P. Chow, I. Omura, M. Higashiwaki, H. Kawarada, and V. Pala, ′′Smart Power Devices and ICs Using GaAs and Wide and Extreme Bandgap Semiconductors′′, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.856-873, 2017.
• N. Iwamuro, and T. Laska, ′′IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects′′, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.741-752, 2017.
• N. Iwamuro, and T. Laska, ′′Correction to ′′IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects′′′′, IEEE Transaction on Electron Device, vol.65, p.2675, 2018.
• K. Miyazaki et al., ′′General-Purpose Clocked Gate Driver IC with Programmable 63-Level Drivability to Optimize Overshoot and Energy Loss in Switching by a Simulated Annealing Algorithm′′, IEEE Transactions on Industry Applications, Vol.53, No.3, pp.2350-2357, 2017.
• M. Tanaka and I. Omura, ′′IGBT scaling principle toward CMOS compatible wafer processes′′, Solid-State Electronics, No.80, pp.118-123, 2013.

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  スケーリング ,  IGBT ,  実証