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J-GLOBAL ID：201902229938911958   整理番号：19A0296967

PLD法を用いたY,ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

著者 (4件)： 田代裕貴 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 57th  ページ： 232  発行年： 2019年01月16日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Y,ZrドープHfO_2薄膜を,室温でパルスレーザ蒸着により(111)ITO//...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： パルスレーザ蒸着 ,  *酸化ハフニウム ,  イットリウム ,  ジルコニウム ,  *ドーピング ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  斜方晶系 ,  結晶構造 ,  焼なまし ,  膜厚 ,  誘電分極 ,  電場 ,  ヒステリシス ,  常誘電体 ,  単斜晶系 ,  結晶方位

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD法 ,  Zr ,  ドープ ,  HfO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価