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J-GLOBAL ID：201902236815709526   整理番号：19A1376291

中性粒子ビームによるGe Fin構造の側壁エッチング特性の検討

著者 (13件)： 大堀大介 (東北大 流体科研) ,  野田周一 (産業技術総合研) ,  藤井卓也 (東北大 流体科研) ,  水林亘 (産業技術総合研) ,  遠藤和彦 (東北大 流体科研) ,  遠藤和彦 (産業技術総合研) ,  LEE En-Tzu (東北大 流体科研) ,  YIMING Li (NCTU) ,  LEE Yao-Jen (NDL) ,  尾崎卓哉 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (NCTU) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-W641-13  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】Si半導体デバイスではプレーナ形MOSトランジスタの短チャネル効果によるゲート長微細化限界により3次元Fin型電界効果トランジスタ構造が用いられている。さらにより高いキャリア移動度をもつGeを従来のSiと置き換えることで高性能化が期...【本文一部表示】

シソーラス用語： 中性粒子ビーム ,  側壁 ,  *ゲルマニウム ,  FET【トランジスタ】 ,  *プラズマエッチング ,  加工速度 ,  電子顕微鏡観察 ,  顕微鏡観察 ,  短チャネル効果 ,  *ドライエッチング ,  原子間力顕微鏡法 ,  走査電子顕微鏡法 ,  ビーム
準シソーラス用語： エッチングレート ,  フィンチャネルFET ,  *中性粒子ビームエッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性粒子ビーム ,  Ge ,  側壁 ,  エッチング特性