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J-GLOBAL ID:201902242032063609   整理番号:19A1620513

Cr-N薄膜ひずみゲージを用いたMEMS触覚センサの感度向上

著者 (7件):
資料名:
巻: 9th  ページ: ROMBUNNO.01pm1-PN-152  発行年: 2018年10月30日 
JST資料番号: L8358B  ISSN: 2432-9495  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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これまで我々が開発を行ってきたNiCr薄膜ひずみゲージを用いたカンチレバー触覚センサでは,出力が小さいという課題があり,今回,NiCrより高いゲージ率を持つCr-N薄膜を用いたセンサを作製・評価した。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件):
分類
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制御機器一般 

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