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J-GLOBAL ID：201902244798219296   整理番号：19A1375552

PLD法を用いたY,ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

著者 (4件)： 田代裕貴 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-W351-4  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】近年新たな強誘電体薄膜として、蛍石構造を有する斜方晶相HfO2基強誘電体が発見された。この物質は、極薄膜で強誘電特性を示すこと、Siプロセスとの整合性が良いこと、そして微細加工のしやすいことなどから注目を集めている[1]。我々はこれ...【本文一部表示】

シソーラス用語： パルスレーザ蒸着 ,  *イットリウム ,  *ジルコニウム ,  *ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *X線回折 ,  ヒステリシス ,  *強誘電性 ,  固相 ,  酸化物薄膜 ,  分極ヒステリシス ,  相
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  *二酸化ハフニウム ,  強誘電特性 ,  結晶相

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD法 ,  Zr ,  ドープ ,  HfO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価