文献

J-GLOBAL ID：201902252138655867   整理番号：19A0896826

遷移金属元素を発光中心としたアモルファス酸化物半導体蛍光体薄膜の探索

著者 (11件)： 二角勇毅 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  渡邉脩人 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  井手啓介 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  KIM J. (東工大 元素戦略) ,  片瀬貴義 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  平松秀典 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  平松秀典 (東工大 元素戦略) ,  細野秀雄 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  細野秀雄 (東工大 元素戦略) ,  神谷利夫 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  神谷利夫 (東工大 元素戦略)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 56th  ページ： 209  発行年： 2018年01月11日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  蛍光体 ,  遷移金属 ,  発光中心 ,  非晶質 ,  *光ルミネセンス ,  *薄膜 ,  *酸化物半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属元素 ,  アモルファス ,  酸化物半導体 ,  蛍光体薄膜 ,  探索