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J-GLOBAL ID：201902254404140433   整理番号：19A2598660

高温・高圧合成によるP元素を導入したナノ多結晶ダイヤモンドの合成

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著者 (10件)： 大津山健 (愛媛大 工) ,  福田玲 (愛媛大 工) ,  村上洋平 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 GRC) ,  松下正史 (愛媛大 工) ,  松下正史 (愛媛大 GRC) ,  大藤弘明 (愛媛大 GRC) ,  新名亨 (愛媛大 GRC) ,  入舩徹男 (愛媛大 GRC)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA4-25  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ダイヤモンドは、5.5eVという広いバンドギャップ、物質最高の熱伝導率、硬度、優れた対放射線性、低い誘電率など多くの点で優れている。ダイヤモンド半導体であれば、電力損失の低減、耐熱性、高速スイッチング動作などが期待できる。化学気...【本文一部表示】

シソーラス用語： *化学合成 ,  高圧 ,  高温 ,  *ダイヤモンド ,  *多結晶 ,  リン ,  イオン注入 ,  ドーピング ,  グラファイト ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  高温高圧合成 ,  多結晶ダイヤモンド ,  ワイドギャップ半導体 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高圧合成 ,  元素 ,  多結晶ダイヤモンド