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J-GLOBAL ID:201902254972934029   整理番号:19A0891623

畳み込みニューラルネットワークの転移学習による多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定

Estimation of dislocation regions in multicrystalline silicon photoluminescence image by transfer learning with convolutional neural network
著者 (4件):
資料名:
巻: 118  号: 500(IMQ2018 23-75)  ページ: 257-262  発行年: 2019年03月07日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本報告では,多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った.畳み込みニューラルネットワークの転移学習により,転位領域を含む領域であるか否かを識別する手法について検討を行った.0.94以上の高い正解率が得られ,Youden’s indexを指標として,隠れ層が3までの多層パーセプトロンによるもの,Bag of featuresによる手法よりも性能の高い結果が得られた.また,非負値行列因子分解による特徴を用いた検出よりも,学習画像に対してシリコンインゴットの深さの違いが大きくなる画像で,性能の改善を得た.(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  図形・画像処理一般 
引用文献 (12件):

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