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J-GLOBAL ID:201802261056383165   整理番号:18A0118431

多結晶シリコンPL像中の転位領域の非負値行列因子分解による推定

Estimation by non-negative matrix factorization of dislocation regions in photoluminescence image of multicrystalline silicon
著者 (5件):
資料名:
巻: 117  号: 356(IMQ2017 20-23)  ページ: 13-18  発行年: 2017年12月08日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った。非負値行列因子分解の手法を用いて,画像を再構成し,転位領域で再構成誤差が大きくなることを仮定した。また,転位領域は暗い領域を仮定した。負の係数を許容するスパースコーディングによる手法より,良好な結果を得た。また,学習には転位領域を含まない方が良い結果を得た。(著者抄録)
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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