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J-GLOBAL ID：201902259517881424   整理番号：19A2620211

シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究

著者 (6件)： 井上毅哉 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-7  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]ひずみシリコンの技術は、LSIのCMOSデバイス等では特性向上の技術として広く使われてきた[1,2]。しかしながら、パワーデバイスの分野に於いては、オン抵抗や信頼性にひずみが与える影響についての議論が十分ではない。我々はパワーM...【本文一部表示】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  *ケイ素 ,  *格子歪 ,  電気抵抗 ,  縦型 ,  *MOSFET ,  圧抵抗効果 ,  ゲート【半導体】 ,  トレンチカット【加工】 ,  引張変形 ,  引張歪 ,  抵抗低減
準シソーラス用語： トレンチゲート構造 ,  *パワーデバイス ,  ピエゾ抵抗効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  縦型 ,  パワーデバイス ,  ひずみ ,  オン抵抗 ,  研究