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J-GLOBAL ID：201902263531063044   整理番号：19A2619034

スパッタリング法を用いたY:HfO₂強誘電体膜の室温成膜

著者 (3件)： 三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-C309-6  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】無機強誘電体薄膜では製膜コストの低減や、耐熱性の低い基板上での成膜への要求から製膜温度の低減化が求められている。しかしながら、従来用いられてきたPZTのようなペロブスカイト型複合酸化物は結晶化に高温プロセスが必要であり、成膜温度の低...【本文一部表示】

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  イットリウム ,  添加 ,  *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  室温 ,  X線構造解析 ,  ヒステリシス ,  X線結晶構造解析 ,  分極ヒステリシス ,  強誘電体薄膜
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  *二酸化ハフニウム ,  強誘電体膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング法 ,  HfO2 ,  強誘電体膜 ,  室温 ,  成膜