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J-GLOBAL ID：201902263957750273   整理番号：19A2598960

スパッタリングによって形成したAlScN膜のリーク電流の評価

著者 (6件)： 草深一樹 (東京工大) ,  TSAI Sunglin (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19a-E305-3  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】AlScN膜はAlNよりも数倍高いピエゾ係数を有していることから次世代の高周波用フィルタとして期待されている。AlScNはAlNよりもギャップが狭いため、ショットキー障壁が小さくリーク電流...【本文一部表示】

シソーラス用語： スパッタリング ,  *窒化物 ,  *スカンジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *誘電体薄膜 ,  *漏れ電流 ,  *スパッタ蒸着 ,  定数 ,  電流電圧特性 ,  圧電定数
準シソーラス用語： 圧電係数

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： スパッタリング ,  リーク電流 ,  評価