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J-GLOBAL ID：201902267814843948   整理番号：19A2598578

ステップ電圧印加時の過渡電流測定によるGaN中のトラップ密度評価

著者 (6件)： 西田宗史 (東京工大) ,  片岡寛明 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-N302-3  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】窒化ガリウム(GaN)は広いバンドギャップ、高耐圧、低オン抵抗の次世代パワーデバイスとして期待されている[1]。しかしGaN結晶中には、深い欠陥準位が存在しており、その位置の特定や欠陥量の抽出が課題である。Deep level...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *深準位過渡分光法 ,  供給 ,  電圧 ,  過渡応答 ,  密度 ,  キャリア捕獲 ,  *捕獲中心 ,  空乏層 ,  化合物半導体 ,  トラップ密度 ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： ICTS法 ,  電圧印加 ,  等温容量過渡分光法 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電圧印加 ,  電流測定 ,  GaN ,  トラップ密度 ,  評価