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J-GLOBAL ID：201902272468533012   整理番号：19A2618572

スパッタ法と硫黄雰囲気アニールで成膜した高いホール効果移動度を持つ層状ZrS₂膜

著者 (7件)： 濱田昌也 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-E308-6  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】層状ZrS2膜は二次元半導体遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであり、シリコンに近い適度なバンドギャップ(単層1.08 eV [1])と高い移動度(1,200 cm2V-1s-1[2])を持つことから低消費電力IoTデバイス等への応用...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ジルコニウム化合物 ,  *硫化物 ,  *薄膜 ,  Hall移動度 ,  層状化合物 ,  スパッタリング ,  アニーリング【現象】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  温度依存性

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタ法 ,  硫黄 ,  雰囲気 ,  アニール ,  成膜 ,  ホール効果 ,  移動度 ,  層状