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J-GLOBAL ID：201902273685815529   整理番号：19A2619763

Pイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドの表面近傍元素分布

著者 (10件)： 東浦健人 (愛媛大 工) ,  福田玲 (愛媛大 工) ,  村上洋平 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 GRC) ,  松下正史 (愛媛大 工) ,  松下正史 (愛媛大 GRC) ,  新名亨 (愛媛大 GRC) ,  大藤弘明 (愛媛大 GRC) ,  入舩徹男 (愛媛大 GRC)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-E312-9  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ダイヤモンドは、従来にない物性を示す新しい半導体として期待されている。これまでに各種合成技術の発達により高品質ダイヤモンドの作製が可能となり、半導体として有望なダイヤモンドの電子物性が明らかになっている。しかし、高温・高圧合成ダ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *リン ,  イオン注入 ,  *化学合成 ,  *ダイヤモンド ,  *表面 ,  *元素 ,  *分布 ,  濃度分布 ,  二次イオン質量分析 ,  化学蒸着 ,  熱処理 ,  導電性 ,  半導体表面 ,  *元素分布 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 高温高圧処理 ,  濃度プロフィル ,  SIMS【質量分析】 ,  CVD【化学蒸着】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pイオン ,  注入 ,  高温高圧 ,  ダイヤモンド ,  近傍 ,  元素分布