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J-GLOBAL ID：201902274244392248   整理番号：19A2619668

スパッタリングを用いたAlScN膜の形成

著者 (6件)： TSAI Sunglin (東京工大) ,  草深一樹 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-E303-4  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】 AlN膜の圧電効果は高周波フィルタなどで用いられている。最近。Scを導入することで、圧電係数が数倍にも上がることが報告された。結晶性や配向性は、堆積時の基板温度やAr/N2比で異なる。また成膜する下地材料の影響も大きい。本研究...【本文一部表示】

シソーラス用語： ケイ化物 ,  *蒸着膜 ,  *アルミニウム化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  圧電気 ,  基板温度 ,  容量電圧特性 ,  *RFスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  結晶度 ,  結晶方位 ,  圧電効果 ,  窒化膜
準シソーラス用語： DCスパッタリング ,  *同時スパッタリング

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (1件)： スパッタリング