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J-GLOBAL ID：201902276140402761   整理番号：19A2598977

スパッタMoS₂膜のSF₆プラズマ処理によるシート抵抗低減

著者 (9件)： 堀口大河 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  辰巳哲也 (東工大 地球インクルーシブセンシング研究機構) ,  冨谷茂隆 (東工大 地球インクルーシブセンシング研究機構) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  若林整 (東工大 地球インクルーシブセンシング研究機構)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19a-E308-1  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに 2次元層状半導体であるMoS2膜は、様々なデバイス応用が期待されている。MoS2膜へのドーピングにより、FETの閾値電圧制御や、寄生抵抗の低減ができ、デバイス性能の向上が見込まれる。MoS2膜にフッ素吸着を施すとp型の半導体特...【本文一部表示】

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *スパッタリング ,  *シート抵抗 ,  プラズマ処理 ,  フッ化硫黄 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ ,  MoS2 ,  SF6 ,  プラズマ処理 ,  抵抗低減