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J-GLOBAL ID：201902277225178576   整理番号：19A0156638

直方晶相ハフニア薄膜のドメイン構造の電子エネルギー損失分光

著者 (7件)： 木口賢紀 (東北大) ,  CHOI Sujin (東北大) ,  白石貴久 (東北大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  今野豊彦 (東北大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 31st  ページ： ROMBUNNO.1A17  発行年： 2018年08月27日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *セラミック膜 ,  斜方晶系 ,  *構造 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  *ドメイン構造
準シソーラス用語： 直方晶系 ,  *ドメイン

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 直方晶 ,  ハフニア ,  薄膜 ,  ドメイン構造 ,  電子エネルギー損失分光