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J-GLOBAL ID：201902288742245833   整理番号：19A2598979

正の閾値電圧のMetal-Top-Gate/High-k/スパッタMoS₂の蓄積容量特性

著者 (7件)： 谷川晴紀 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19a-E308-3  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】バンドギャップを有し、薄膜領域で比較的高い移動度を示すMoS2膜はMISFET応用が期待されているが[1]、汚染[2]や硫黄欠陥[3]による高いキャリア密度によってノーマリーオン動作、つまり負の閾値電圧を持つことが課題に挙げられる。...【本文一部表示】

シソーラス用語： *MISFET ,  *硫化モリブデン ,  *容量電圧特性 ,  スパッタリング ,  微細加工

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 閾値電圧 ,  スパッタ ,  MoS2 ,  蓄積容量