特許

J-GLOBAL ID：201903002509983041

半導体層の電気的欠陥濃度評価方法、及び半導体素子

発明者： 角嶋 邦之 ,  星井 拓也 ,  若林 整 ,  筒井 一生 ,  岩井 洋 ,  山本 大貴
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-161604
公開番号（公開出願番号）：特開2019-040988
出願日： 2017年08月24日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：

【課題】深い欠陥準位を有するワイドバンドギャップ半導体にも適用可能な、半導体層の電気的欠陥濃度評価方法、及びその方法により評価することのできる電気的欠陥濃度の少ない半導体素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、半導体層としてのGaN層12を含む半導体素子1に電圧を印加して電流を測定するステップと、測定された電流の値を用いてGaN層12中の電気的欠陥濃度を導出するステップと、を含む、半導体層の電気的欠陥濃度評価方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層に電圧を印加して電流を測定するステップと、 測定された前記電流の値を用いて前記半導体層中の電気的欠陥濃度を導出するステップと、 を含む、 半導体層の電気的欠陥濃度評価方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L21/66 N ,  H01L29/80 Z ,  H01L29/80 H

Fターム (12件)：

4M106AA10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CB08 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• pn接合ダイオード及びそれを用いた半導体基板の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-292984   出願人：新日本製鐵株式会社
• 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335580   出願人：エルジー電子株式会社
• MISFETのオーバラップ長の測定方法、測定装置、抽出プログラムを記録した記録媒体及びデバイスモデル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-213335   出願人：日本電気株式会社
• MOSFET容量測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-319756   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• GaNエピウエハ内部の欠陥密度抽出法の提案