特許

J-GLOBAL ID：201903004045571066

シリコン電極とその製造方法

発明者： 小野 陽子 ,  小松 武志 ,  宮島 晋介 ,  山田 明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  工藤 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-122170
公開番号（公開出願番号）：特開2019-007039
出願日： 2017年06月22日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：

【課題】シリコン材料表面と水溶液との接触を避けることが可能となる構造のシリコン電極を提供する。【解決手段】水溶液中において光照射を受けて水分解反応を起こすシリコン電極1であって、光を透過させる透明基板10と、透明基板10上に成膜された透明導電膜20と、透明導電膜20上に成膜されたシリコン層30と、シリコン層30上に成膜された、金属、合金、及び金属酸化物の何れかから成る保護層40とを備え、シリコン層30は、nip接合アモルファスシリコンの積層体である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水溶液中において光照射を受けて水分解反応を起こすシリコン電極であって、 光を透過させる透明基板と、 前記透明基板上に成膜された透明導電膜と、 前記透明導電膜上に成膜されたシリコン層と、 前記シリコン層上に成膜された、金属、合金、及び金属酸化物の何れかから成る保護層とを備え、 前記シリコン層は、nip接合アモルファスシリコンの積層体である ことを特徴とするシリコン電極。

IPC (1件)：

C25B 11/06

FI (1件)：

C25B11/06 B

Fターム (6件)：

4K011AA20 ,  4K011AA25 ,  4K011AA66 ,  4K011AA69 ,  4K011BA01 ,  4K011DA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光電気化学セル、光電気化学セルを用いた水素および酸素の光駆動生成システムならびに生成方法、および、光電気化学セルの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2015-502197   出願人：エボニックインダストリーズアクチエンゲゼルシャフト