電荷トラップ評価方法、及び半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-161603
公開番号（公開出願番号）：特開2019-039785
出願日： 2017年08月24日
公開日（公表日）： 2019年03月14日
要約：

【課題】深いトラップ準位を有するワイドバンドギャップ半導体が用いられた半導体素子に対しても測定再現性を確保し、再現性よく電流コラプスの評価を行うことができる電荷トラップ評価方法、及びその方法により再現性よく評価することのできる半導体素子を提供する。【解決手段】一実施の形態として、HEMT構造を有する半導体素子1のソース電極15及びドレイン電極16と基板10との間に、閾値電圧と同符号かつ閾値電圧以上の大きさの初期化電圧を印加し、トラップされた電荷をトラップ準位から追い出してトラップ状態を初期化するステップと、トラップ状態の初期化後、ソース電極15とドレイン電極16の間に流れる電流をモニタして、電荷捕獲、電流コラプス、及び電荷放出のうちの少なくともいずれか1つを評価するステップと、を含む、電荷トラップ評価方法及び半導体素子を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

横型構造を有する半導体素子のソース電極及びドレイン電極と基板との間に、閾値電圧と同符号かつ前記閾値電圧以上の大きさの初期化電圧を印加し、トラップされた電荷をトラップ準位から追い出してトラップ状態を初期化するステップと、前記トラップ状態の初期化後、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に流れる電流をモニタして、電荷捕獲、電流コラプス、及び電荷放出のうちの少なくともいずれか1つを評価するステップと、を含み、前記閾値電圧は、ソース電極及びドレイン電極と基板との間に印加される電圧であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に電圧が印加されているときにチャネル電流のオン・オフが切り替わる電圧である、電荷トラップ評価方法。

IPC (5件)：

G01R 31/26 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01R31/26 B , H01L29/80 H , H01L21/66 V , G01R31/26 A

Fターム (21件)：

2G003AA02 , 2G003AB01 , 2G003AC08 , 2G003AE01 , 2G003AH05 , 4M106AA07 , 4M106AB01 , 4M106CA02 , 4M106CA04 , 4M106CB30 , 5F102FA09 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC02 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01

引用特許：

審査官引用 (8件)

スイッチ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-120755 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-025223 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体素子の検査方法及び半導体検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-148610 出願人：パナソニック株式会社

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