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J-GLOBAL ID：202002219100190820   整理番号：20A2237014

中性粒子ビームによるGaN加工基礎特性

Basic Etching Characteristics of GaN by Neutral Beam

著者 (9件)： 澤田尭廣 (東北大 流体科研) ,  大堀大介 (東北大 流体科研) ,  菅原健太 (住友電気工業) ,  岡田政也 (住友電気工業) ,  井上和孝 (住友電気工業) ,  佐藤大輔 (昭和電工) ,  栗原秀行 (昭和電工) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12p-B401-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】 絶縁破壊強度と飽和電子速度に優れるGaN高電子移動度トランジスタ(GaNHEMT)は、AI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。一方で、GaNHEMT構造...【本文一部表示】

シソーラス用語： エッチング ,  絶縁耐力 ,  臭素 ,  基地局 ,  律速 ,  通信 ,  揮発性 ,  *窒化ガリウム ,  中性粒子ビーム ,  X線光電子分光法 ,  HEMT ,  プラズマエッチング ,  二次元電子ガス ,  ネットワークアーキテクチャ ,  ビーム
準シソーラス用語： エッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 中性粒子ビーム ,  GaN ,  基礎