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J-GLOBAL ID：202002237060787252   整理番号：20A2238693

エピタキシャルHfO₂基膜を用いた直方晶相安定化の調査

Investigation of the stabilization of the orthorhombic phase using epitaxial HfO₂ based films

著者 (3件)： 三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A303-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】 近年報告されたHfO2基強誘電体はその高いCMOS適合性と極薄膜でも安定して強誘電性を得られることから極薄膜強誘電体デバイスの作製に有望な材料として注目を集めている[1,2]。HfO2基強誘電体の強誘電性の起源は直方晶相(Pca2...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  強誘電体 ,  結晶構造 ,  熱処理 ,  酸化ジルコニウム ,  強誘電性 ,  多結晶 ,  *酸化ハフニウム ,  *斜方晶系 ,  単斜晶系 ,  立方晶系 ,  超薄膜 ,  製膜 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  HfO2 ,  直方晶 ,  安定化 ,  調査