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J-GLOBAL ID：202002240176982791   整理番号：20A2238694

スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性評価

Preparation of HfO₂-based ferroelectric thick film by the sputtering method at room temperature and its electrical properties

著者 (5件)： 志村礼司郎 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  舘山明紀 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A303-5  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [緒言] 酸化ハフニウム(HfO2)はトランジスタのゲート絶縁膜に利用されきたが、2011年に強誘電性が報告されて以来[1]、多くの報告がなされている。一方でHfO2は圧電性も報告されており、CMOSプロセスとの親和性を考慮すると圧電材料と...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *強誘電体 ,  トランジスタ ,  熱処理 ,  薄膜 ,  圧電材料 ,  強誘電性 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  *電気特性 ,  斜方晶系 ,  薄膜成長 ,  *厚膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  *製膜 ,  YSZ【セラミック】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタリング法 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  室温 ,  製膜 ,  電気特性 ,  評価