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J-GLOBAL ID：202002257115909637   整理番号：20A0505647

直方晶相ハフニア薄膜におけるドメイン構造

著者 (6件)： 木口賢紀 (東北大 金属材料研) ,  白石貴久 (東北大 金属材料研) ,  三村和仙 (東京工大 大学院) ,  清水荘雄 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院) ,  今野豊彦 (東北大 金属材料研)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2019  ページ： ROMBUNNO.1A17  発行年： 2019年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 7mol%YO1.5-HfO2の強誘電斜方晶相のエピタキシャル薄膜における分域構造...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  斜方晶系 ,  *薄膜 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  結晶構造 ,  ナノ構造 ,  ミクロドメイン ,  *構造 ,  境界 ,  パルスレーザ蒸着 ,  その場観察 ,  電子顕微鏡観察 ,  ドーパント ,  イットリウム ,  *酸化物 ,  HAADF-STEM ,  *エピタキシャル膜 ,  *ドメイン構造 ,  ナノドメイン ,  ナノ結晶薄膜 ,  *酸化物薄膜
準シソーラス用語： PLD法 ,  STEM【顕微鏡】 ,  Y ,  ドメイン境界 ,  直方晶

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 直方晶 ,  ハフニア ,  薄膜 ,  ドメイン構造