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J-GLOBAL ID：202002262371495522   整理番号：20A0509137

スパッタリング法を用いたY:HfO₂強誘電体厚膜の作製とその電気特性評価

著者 (4件)： 志村礼司郎 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 電子材料研究討論会講演予稿集
巻： 39th  ページ： 16  発行年： 2019年11月28日 
JST資料番号： L8356A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 厚さが1040nmまでの0.05YO1.5-0.95HfO2...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,  厚膜 ,  *酸化ハフニウム ,  酸化イットリウム ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  膜厚 ,  *電気特性 ,  結晶構造 ,  誘電分極 ,  強誘電性 ,  膜厚依存性 ,  強誘電分極 ,  *強誘電体薄膜
準シソーラス用語： *強誘電体膜 ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング法 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  作製 ,  電気特性 ,  評価