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J-GLOBAL ID：202002284659635277   整理番号：20A2238837

InAlN/GaNヘテロ構造におけるキャリア輸送特性のAlNスペーサ層膜厚依存性

Carrier transport characteristics depending on AlN spacer layer thickness on InAlN/GaN heterostructure

著者 (12件)： 木村安希 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宮野清孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  布上真也 (東芝) ,  名古肇 (東芝) ,  水島一郎 (東京工大) ,  水島一郎 (ニューフレアテクノロジー) ,  依田孝 (東京工大) ,  依田孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-B401-9  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】従来から広く研究されてきたAlGaN/GaN HEMTに対して、近年InAlN/GaN構造が注目されている。InAlN/GaN HEMT構造はヘテロ界面が格子整合する組成比を選択でき、歪が発生しないために、デバイスの信頼性向上が...【本文一部表示】

シソーラス用語： Hall効果 ,  移動度 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  キャリア密度 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  自発分極 ,  HEMT ,  二次元電子ガス ,  格子整合 ,  *キャリア輸送 ,  *ヘテロ構造 ,  ヘテロ界面
準シソーラス用語： バリア層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  キャリア ,  輸送特性 ,  AlN ,  スペーサ層 ,  膜厚依存性