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J-GLOBAL ID：202102235384841571   整理番号：21A0956487

強磁性トポロジカル絶縁体サンドイッチ構造Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/(Bi_1-xSb_x)₂Te₃/Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/Si(111)のフェルミ準位制御による電気伝導特性変調

Fermi-Level-Controlled Electrical Transport Properties in the Ferromagnetic Topological Insulator Sandwich Structure Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/(Bi_1-xSb_x)₂Te₃/Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/Si(111)

著者 (16件)： 高城拓也 (東大 理) ,  秋山了太 (東大 理) ,  KIBIREV I. A. (IACP FEB RAS) ,  KIBIREV I. A. (Far Eastern Federal Univ.) ,  MATETSKIY A. V. (IACP FEB RAS) ,  MATETSKIY A. V. (Far Eastern Federal Univ.) ,  遠山晴子 (東大 理) ,  中西亮介 (東大 理) ,  樋渡功太 (東大 理) ,  平原徹 (東京工大 理) ,  深澤拓朗 (東京工大 理) ,  ZOTOV A. V. (IACP FEB RAS) ,  ZOTOV A. V. (Far Eastern Federal Univ.) ,  SARANIN A. A. (IACP FEB RAS) ,  SARANIN A. A. (Far Eastern Federal Univ.) ,  長谷川修司 (東大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 2  ページ： ROMBUNNO.9aD1-3  発行年： 2020年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 強磁性(FM)が付加されたトポロジカル絶縁体(TI)では、表面のディラックコーンにギャップ(ディラックギャップ:DG)が開き、フェルミ準位(EF)がDG中に調整されると異常ホール抵抗(Pyx)が量子化し、試料端に無散逸のカイラルエッジ状態を...【本文一部表示】

シソーラス用語： *トポロジカル絶縁体 ,  マンガン化合物 ,  ビスマス化合物 ,  テルル化物 ,  結晶方位 ,  ウエハ【IC】 ,  *Fermi準位 ,  *導電性 ,  *サンドイッチ構造 ,  シリコン(111) ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *強磁性トポロジカル絶縁体 ,  Si(111) ,  シリコン基板 ,  *電気伝導特性

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強磁性 ,  トポロジカル絶縁体 ,  サンドイッチ構造 ,  Mn ,  Si ,  フェルミ準位 ,  電気伝導特性 ,  変調