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J-GLOBAL ID：202102240328025981   整理番号：21A0220218

次世代低消費電力メモリを実現するマルチフェロイック材料の開発

著者 (3件)： 重松圭 (東京工大) ,  東正樹 (東京工大) ,  北條元 (九大)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 31  号： 1  ページ： 47-51  発行年： 2021年01月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・次世代メモリに対するマルチフェロイック材料である鉄酸コバルト酸ビスマスの性質を説明。
・室温での電場印加による磁化反転について説明。
・プロブスカイト型酸化物,スピン構造変化,薄膜における電場印加磁化反転を検討。
・観測結果および今後の課題を集約。

シソーラス用語： *磁気メモリ ,  消費電力 ,  *性能評価 ,  磁化反転 ,  電場 ,  *強誘電体 ,  磁性体 ,  磁性強誘電体
準シソーラス用語： マルチフェロイクス ,  鉄酸コバルト酸ビスマス

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  低消費電力 ,  マルチフェロイック材料 ,  開発