文献

J-GLOBAL ID：202102242424975520   整理番号：21A0697458

InAlN/(AlN)/GaN構造におけるキャリア移動度の温度依存性

Temperature dependence of carrier mobility on InAlN/(AlN)/GaN heterostructures

著者 (11件)： 木村安希 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宮野清孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  津久井雅之 (ニューフレアテクノロジー) ,  水島一郎 (東京工大) ,  水島一郎 (ニューフレアテクノロジー) ,  依田孝 (東京工大) ,  依田孝 (ニューフレアテクノロジー) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11a-Z04-5  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】従来から広く研究されてきたAlGaN/GaN HEMTに対して、近年InAlN/GaN構造が注目されている。InAlN/GaN HEMT構造はヘテロ界面が格子整合する組成比を選択でき、歪が発生しないために、デバイスの信頼性向上が...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  *キャリア移動度 ,  散乱 ,  焼なまし ,  *温度依存性 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  自発分極 ,  HEMT ,  二次元電子ガス ,  格子整合 ,  キャリア輸送 ,  ヘテロ界面 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： バリア層 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  キャリア移動度 ,  温度依存性