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J-GLOBAL ID：202102243200951834   整理番号：21A0956492

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃上のPb薄膜における走査トンネル分光

Scanning tunneling spectroscopy on Pb thin films on topological insulator Bi₂Se₃

著者 (11件)： 町田理 (理研 CEMS) ,  町田理 (JST-さきがけ) ,  菅原克明 (東北大 大学院) ,  菅原克明 (東北大 CSRN) ,  菅原克明 (東北大 WPI-AIMR) ,  幸坂祐生 (理研 CEMS) ,  佐藤宇史 (東北大 大学院) ,  佐藤宇史 (東北大 CSRN) ,  佐藤宇史 (東北大 WPI-AIMR) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  花栗哲郎 (理研 CEMS)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 2  ページ： ROMBUNNO.9aD1-8  発行年： 2020年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： トポロジカル超伝導を実現するための方法として,トポロジカル絶縁体のスピン偏極表面状態に超伝導近接効果により超伝導ギャップを開け,実効的カイラルρ波超伝導を誘起する方法が挙げられる.この指針に基づき,主に超伝導体基板上のトポロジカル絶縁体薄膜...【本文一部表示】

シソーラス用語： *トポロジカル絶縁体 ,  *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  金属薄膜 ,  *スペクトロスコピー ,  ナノ構造 ,  島状構造 ,  エネルギーギャップ ,  *セレン化ビスマス ,  ナノアイランド ,  *走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： 鉛薄膜 ,  *走査トンネル分光 ,  超伝導エネルギーギャップ

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： トポロジカル絶縁体 ,  Pb ,  薄膜 ,  走査トンネル分光