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J-GLOBAL ID:202102252656458854   整理番号:21A1970446

角度分解光電子分光で観察した希薄キャリア超伝導体におけるフラットバンド構造

ARPES studies of the low carrier density superconductor with flat band structures
著者 (17件):
資料名:
巻: 76  号:ページ: ROMBUNNO.14aE2-3  発行年: 2021年03月24日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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希薄キャリア状態では超伝導体の転移温度は一般的に低いことが予想される。三元系ケイ素化合物NaAlSiは、第一原理計算からキャリア補償型の半金属的な電子構造の希薄キャリア状態が予測されているにも関わらず、高い超伝導転移温度(Tc=7K)をもつ...【本文一部表示】
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分類 (2件):
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その他の超伝導体の物性  ,  電子分光スペクトル 

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