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J-GLOBAL ID：202102273483071960   整理番号：21A0697120

横型GaN FinFETの構造最適化についての検討

Optimization of Device Structure of Lateral GaN Fin FETs

著者 (6件)： 久恒悠介 (東京工大) ,  KIM S. (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10p-Z04-2  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [序論]立体チャネルとマルチゲートを有する横型FinFETは、ゲート制御性や高電流密度などの点で従来型のHEMTに対しての優位性が期待できる[1]。GaN FinFETはエッチングでFin構造のチャネルを形成する方法で作製されることが多いが...【本文一部表示】

シソーラス用語： エッチング ,  電圧 ,  電場 ,  フィン ,  ドリフト ,  素子構造 ,  緩和現象 ,  キャリア密度 ,  空乏層 ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *FinFET ,  デバイスシミュレーション ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 横型 ,  GaN ,  FinFET ,  構造最適化