文献
J-GLOBAL ID：202102289046627555
整理番号：21A3184316
両面リソグラフィ技術を用いた3.3kV両面ゲートIGBT(BC-IGBT)
3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology
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著者 (20件)：
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資料名：
号：
EDD-21-054-058/SPC-21-144-148 電子デバイス研究会/半導体電力変換研究会
ページ：
7-12 (WEB ONLY)
発行年：
2021年10月18日
JST資料番号：
U2358A
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本研究では,Back-gate-Controlled IGBT(BC-IGBT)を実験的に実証する。裏面MOSゲートを使用することによって,ターンオフ損失の60%以上の低減を達成した。両面リソグラフィーを用いた製造可能プロセスを開発した。BC-IGBTは,Siパワーデバイスの周波数/電圧範囲を拡大する新しい技術的オプションを提供すると思われる。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語：
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ
, 固体デバイス製造技術一般
引用文献 (16件)：
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T. P. Chow, I. Omura, M. Higashiwaki, H. Kawarada, and V. Pala, “Smart Power Devices and ICs Using GaAs and Wide and Extreme Bandgap Semiconductors”, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.856-873, 2017.
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A. Kopta, et al., “Next Generation IGBT and Package Technologies for High Voltage Applications”, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.753-759, 2017.
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N. Iwamuro, and T. Laska, “IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects”, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.741-752, 2017.
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N. Iwamuro, and T. Laska, “Correction to “IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects”“, IEEE Transaction on Electron Device, vol.65, p.2675, 2018.
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A. Nakagawa, “Numerical experiment for 2500 V double gate bipolar-mode MOSFETs (DGIGBT) and analysis for large safe operating area (SOA)”, PESC, pp.84-90, 1988.
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タイトルに関連する用語 (4件)：
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